trên 2024/11/14 84

Hướng dẫn sử dụng diode 1N4448 trong các mạch điện tử

Diode 1N4448 là một thành phần chuyển đổi tốc độ cao được biết đến với hiệu suất hiệu quả trong các thiết bị điện tử cần chuyển đổi nhanh chóng và đáng tin cậy.Bài viết này sẽ khám phá các tính năng, ứng dụng, thông số kỹ thuật 1N4448 và cách so sánh với các điốt tương tự như 1N4148, cung cấp hiểu biết sâu sắc về các cách sử dụng linh hoạt của nó trên các mạch khác nhau.

Danh mục

Giới thiệu về 1N4448

Các 1N4448 là một diode chuyển đổi tốc độ cao được biết đến với hiệu suất đáng tin cậy trong các thiết bị điện tử đòi hỏi phải chuyển đổi nhanh chóng.Nó được sản xuất bằng công nghệ phẳng, một phương pháp cung cấp sự ổn định và hiệu quả.Được đóng gói trong một gói thủy tinh chì bền, kín (SOD27 hoặc DO-35), diode được bảo vệ tốt từ các yếu tố môi trường, giúp mở rộng khả năng sử dụng của nó trên các ứng dụng khác nhau.Điều này làm cho 1N4448 trở thành một lựa chọn phổ biến cho các mạch đòi hỏi thời gian phản hồi nhanh chóng và hiệu suất đáng tin cậy.

Cấu hình pin 1N4448

Mô hình CAD 1N4448

Biểu tượng 1N4448

Dấu chân 1N4448

Mô hình 3D 1N4448

Thông số kỹ thuật 1N4448

Thông số kỹ thuật, tính năng, đặc điểm và các thành phần với các thông số kỹ thuật tương đương của chất bán dẫn 1N4448

Kiểu	Tham số
Tình trạng vòng đời	Active (Cập nhật lần cuối: 1 ngày trước)
Thời gian dẫn đầu của nhà máy	18 tuần
Liên hệ mạ	Thiếc
Gắn kết	Qua lỗ
Loại gắn kết	Qua lỗ
Gói / trường hợp	Do-204Ah, do-35, trục
Số lượng ghim	2
Gói thiết bị nhà cung cấp	Do-35
Cân nặng	126.01363mg
Bao bì	Số lượng lớn
Xuất bản	2016
Trạng thái một phần	Tích cực
Mức độ nhạy cảm độ ẩm (MSL)	1 (không giới hạn)
Nhiệt độ hoạt động tối đa	175 ° C.
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu	-55 ° C.
Điện dung	2pf
Điện áp - Xếp hạng DC	100V
Tiêu tán công suất tối đa	500mw
Xếp hạng hiện tại	200mA
Số phần cơ sở	1N4448
Phân cực	Tiêu chuẩn
Điện áp	75V
Cấu hình phần tử	Đơn
Tốc độ	Tín hiệu nhỏ =< 200mA (Io), Any Speed
Hiện hành	2A
Loại diode	Tiêu chuẩn
Hiện tại - rò rỉ ngược @ vr	5μA @ 75V
Tiêu tan điện	500mw
Đầu ra hiện tại	200mA
Điện áp - chuyển tiếp (vf) (tối đa) @ if	1V @ 100mA
Chuyển tiếp hiện tại	300mA
Nhiệt độ hoạt động - ngã ​​ba	-65 ° C ~ 175 ° C.
Hiện tại tăng tối đa	4A
Điện áp - DC Reverse (VR) (Max)	100V
Hiện tại - được chỉnh lưu trung bình (IO)	200mA
Điện áp chuyển tiếp	1V
Điện áp đảo ngược tối đa (DC)	100V
Hiện tại được chỉnh lưu trung bình	200mA
Thời gian phục hồi ngược	4 ns
Dòng điện ngược cực đại	5μa
Điện áp đảo ngược tối đa (VRRM)	100V
Điện dung @ vr, f	2pf @ 0v 1MHz
Dòng điện tăng không lặp lại đỉnh cao	4A
Max Forward Surge Dòng điện (IFSM)	4A
Thời gian phục hồi	4 ns
Nhiệt độ điểm số tối đa (TJ)	175 ° C.
Chiều cao	1.91mm
Chiều dài	4,56mm
Chiều rộng	1.91mm
Đạt được SVHC	Không có SVHC
Bức xạ cứng	KHÔNG
Trạng thái Rohs	Rohs3 tuân thủ
Dẫn đầu miễn phí	Dẫn đầu miễn phí

Dữ liệu cơ học cho 1N4448

Trường hợp

1N4448 sử dụng trường hợp DO-35 (DO-204Ah), cung cấp một thiết kế nhỏ gọn và mạnh mẽ phù hợp với một loạt các bố cục mạch.

Cân nặng

Diode này nhẹ, khoảng 125 mg, làm cho nó trở thành một lựa chọn phù hợp cho các ứng dụng nhỏ, nhạy cảm với trọng lượng.

Màu ban nhạc catốt

Dải catốt được đánh dấu bằng màu đen, cung cấp cho bạn một tham chiếu trực quan dễ dàng để xác định sự phân cực trong quá trình cài đặt.

Tùy chọn đóng gói

1N4448 có sẵn trong các tùy chọn bao bì khác nhau: Tr/10k mỗi 13 ", có sức chứa 50k mỗi hộp và TAP/10K mỗi gói đạn, cũng hỗ trợ 50k mỗi hộp. Tính linh hoạt này cho phép bạn chọn tùy chọn thuận tiện nhất cho nhu cầu sản xuất của bạn.

1N4448 Các tính năng chính

Loại gói

Diode này có sẵn trong cả hai gói DO-35 Glass và Surface-Mount (SMD), cung cấp tính linh hoạt tùy thuộc vào nhu cầu thiết kế của mạch của bạn.Cho dù bạn làm việc với các giá treo qua lỗ truyền thống hoặc các cấu hình SMD nhỏ gọn hơn, 1N4448 mang lại tính linh hoạt.

Loại diode

Là một diode chuyển đổi nhanh silicon epiticular, 1N4448 được xây dựng cho tốc độ và hiệu quả.Lớp epiticular giúp nó xử lý điện áp nhanh chóng thay đổi trơn tru hơn, giúp tăng cường sự phù hợp của nó trong các mạch yêu cầu chuyển đổi tốc độ cao.

Điện áp đảo ngược tối đa

Với điện áp đảo ngược lặp đi lặp lại tối đa là 100 volt, diode này có thể xử lý các điện áp ngược đáng kể.Tính năng này làm cho nó hiệu quả trong việc bảo vệ các bộ phận nhạy cảm của mạch khỏi điện áp có thể phá vỡ chức năng hoặc gây ra thiệt hại.

Hiện tại được chỉnh lưu tối đa

1N4448 có mức hiện tại được chỉnh lưu trung bình tối đa là 15A hoặc 150mA, cho phép nó xử lý các tải hiện tại vừa phải một cách hiệu quả.Điều này làm cho nó phù hợp cho các mạch với nhu cầu hiện tại liên tục, cung cấp sự ổn định và độ tin cậy.

Tiêu tán công suất tối đa

Có thể tiêu tan tới 5W năng lượng, 1N4448 làm giảm nguy cơ quá nóng, điều này rất quan trọng trong các mạch hoạt động cao hoặc liên tục.Khả năng xử lý sự tiêu tan năng lượng này mở rộng tuổi thọ của nó và giúp duy trì hiệu suất theo thời gian.

Điện áp ngược

Được đánh giá cho 75V trong điện áp ngược, diode này cung cấp khả năng phục hồi bổ sung chống lại các điều kiện sai lệch ngược.Khả năng này có thể bảo vệ các thành phần trong các mạch với điện áp hoặc môi trường dao động dễ bị tăng đột biến điện áp.

Phạm vi nhiệt độ hoạt động

1N4448 hoạt động trong phạm vi nhiệt độ rộng -65 ° C đến +175 ° C.Sự dung nạp này có nghĩa là nó có thể thực hiện một cách đáng tin cậy trong cả môi trường thấp và nhiệt độ cao, làm cho nó trở thành một lựa chọn linh hoạt cho các ứng dụng điện tử khác nhau, từ thiết bị tiêu dùng đến hệ thống công nghiệp.

Tương đương của 1N4448

• 1N4150

• 1N4151

• 1N4448WS

• 1N914

• 1N916A

1N4448 Ứng dụng

Chuyển đổi tốc độ cao

Với khả năng chuyển đổi tốc độ cao, 1N4448 có thể hoạt động hiệu quả trong các mạch yêu cầu thời gian phản hồi nhanh.Điều này đặc biệt có giá trị trong các ứng dụng như xử lý tín hiệu và mạch thời gian trong đó chuyển đổi nhanh có thể cải thiện hiệu suất.

Chuyển đổi chung

Khả năng chuyển đổi bật/tắt đáng tin cậy của diode cũng làm cho nó phù hợp cho mục đích chuyển đổi chung, cho phép bạn sử dụng nó trong nhiều thiết kế mạch.Hiệu suất ổn định của nó đảm bảo hoạt động nhất quán, làm cho nó trở nên lý tưởng cho các hệ thống cần chuyển đổi ổn định.

Chỉnh lưu

1N4448 rất phù hợp để chỉnh lưu, một quá trình chuyển đổi AC thành DC, đây là một yêu cầu phổ biến trong nguồn cung cấp điện.Khả năng chỉnh lưu hiệu quả của nó cung cấp đầu ra DC ổn định, làm cho nó cần thiết cho các mạch nơi cần có dòng DC ổn định.

Bảo vệ thành phần

Trong các mạch yêu cầu một lớp bảo vệ bổ sung, 1N4448 có thể chặn các gai điện áp đột ngột, giúp bảo vệ các thành phần nhạy cảm.Tính năng này đặc biệt hữu ích trong các môi trường có mức điện áp dao động, giảm nguy cơ thất bại thành phần.

Chặn điện áp không mong muốn

1N4448 cũng có thể chặn điện áp một cách hiệu quả khi nó không cần thiết, rất hữu ích trong các mạch yêu cầu lưu lượng điện áp được kiểm soát.Khả năng chặn này làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng cần điều khiển điện áp chính xác.

Lọc tín hiệu

Trong các mạch xử lý tín hiệu, 1N4448 có thể lọc các tín hiệu không mong muốn, đảm bảo rằng chỉ các tín hiệu mong muốn được xử lý.Khả năng lọc hiệu quả của nó làm cho nó có giá trị trong các hệ thống truyền thông và các thiết bị điện tử khác trong đó độ rõ tín hiệu là điều cần thiết cho hiệu suất tổng thể.

Sử dụng được đề xuất cho 1N4448

Diode 1N4448 là linh hoạt và có thể được sử dụng trên một loạt các ứng dụng.Thiết kế của nó cho phép nó hoạt động tốt trong các tác vụ như chuyển đổi dòng điện xen kẽ (AC) thành dòng điện trực tiếp (DC) và chặn các gai điện áp bất ngờ.Những đặc điểm này làm cho nó lý tưởng để bảo vệ các thành phần khỏi thiệt hại và đảm bảo hoạt động trơn tru.Nó cũng thường được sử dụng trong các mạch logic kỹ thuật số, bộ sạc pin, nguồn điện và mạch nhân đôi điện áp, làm cho nó trở thành một lựa chọn linh hoạt cho các thiết lập điện tử khác nhau.

So sánh 1N4148 và 1N4448

Khi so sánh 1N4448 và 1N4148, cả hai đều được xây dựng để chuyển đổi mục đích chung, nhưng 1N4448 có thể xử lý dòng điện cao hơn lên tới 500mA, trong khi 1N4148 quản lý khoảng 200mA.Mặc dù có sự khác biệt xử lý hiện tại, điện áp phía trước của chúng dưới tải vẫn gần như giống hệt nhau, cả hai giới hạn ở khoảng 1 volt.Sự khác biệt chính nằm ở mức độ dung nạp tăng 1N4448 cho dòng điện, điều này mang lại lợi thế trong các mạch đòi hỏi sự mạnh mẽ hơn một chút.Tuy nhiên, cả hai điốt đều chia sẻ các quy trình thiết kế và chế tạo tương tự, khiến chúng gần nhau theo nhiều cách.

Kích thước gói 1N4448

Các bộ phận có thông số kỹ thuật tương tự như 1N4448

Các bộ phận bên phải có thông số kỹ thuật tương tự như chất bán dẫn 1N4448

Tham số / số phần	1N4448	1N4151TR	1N4148TR
Nhà sản xuất	Trên chất bán dẫn	Điốt bán dẫn Vishay ..	Trên chất bán dẫn
Gắn kết	Qua lỗ	Qua lỗ	Qua lỗ
Gói / trường hợp	Do-204Ah, do-35, trục	Do-204Ah, do-35, trục	Do-204Ah, do-35, trục
Điện áp chuyển tiếp	1 v	1 v	1 v
Hiện tại được chỉnh lưu trung bình	200 Ma	200 Ma	200 Ma
Hiện tại - được chỉnh lưu trung bình	200 Ma	-	-
Thời gian phục hồi ngược	4 ns	4 ns	4 ns
Thời gian phục hồi	4 ns	4 ns	4 ns
Mức độ nhạy cảm độ ẩm (MSL)	1 (không giới hạn)	1 (không giới hạn)	1 (không giới hạn)

Thông tin nhà sản xuất cho 1N4448

Trên chất bán dẫn, nhà sản xuất 1N4448, được công nhận về những đổi mới trong công nghệ tiết kiệm năng lượng.Các sản phẩm của họ phục vụ cho một loạt các ngành công nghiệp, bao gồm ô tô, truyền thông, điện toán và ánh sáng LED, trong số những ngành khác.Bằng cách tập trung vào các giải pháp quản lý tín hiệu và năng lượng hiệu quả, bộ bán dẫn nhằm mục đích hỗ trợ các nhà thiết kế trong việc tạo ra các hệ thống đáng tin cậy và hiệu quả về chi phí.Chuỗi cung ứng được thiết lập của họ và các tiêu chuẩn chất lượng cao khiến họ trở thành một lựa chọn đáng tin cậy cho các kỹ sư trên toàn thế giới, đảm bảo tính nhất quán và hiệu suất trên dòng sản phẩm của họ.

Biểu dữ liệu PDF

Biểu dữ liệu 1N4448:

1N4448.pdf

Biểu dữ liệu 1N4151TR:

1N4151TR.pdf

Biểu dữ liệu 1N4148TR:

1N4148TR.pdf