SK Hynix đã phát triển các ổ đĩa trạng thái rắn hiệu suất cao phù hợp cho các trung tâm dữ liệu

SK Hynix đã tuyên bố: "Với sự xuất hiện toàn diện của kỷ nguyên AI, không chỉ là các sản phẩm DRAM tốc độ cực cao như HBM, mà nhu cầu của khách hàng đối với các giải pháp bộ nhớ flash hiệu suất cao như SSD phù hợp cho các trung tâm dữ liệu cũng đang tăng lên.Để tuân thủ xu hướng này, công ty đã phát triển một sản phẩm mới sử dụng PCIE thế hệ thứ năm (Gen5) và có thể cải thiện đáng kể tốc độ xử lý dữ liệu và hiệu quả năng lượng, và đã đẩy nó lênthị trường

Trước đây, SK Hynix đã phát triển và sản xuất khối lượng sản phẩm hiệu suất cực cao PS1010 *, với hy vọng tạo ra một dòng sản phẩm ổ đĩa trạng thái rắn mạnh mẽ bằng cách phát triển các sản phẩm của PEB110 để đáp ứng nhu cầu của khách hàng đa dạng.

Công ty hiện đang tiến hành xác thực PEB110 với các khách hàng của Trung tâm dữ liệu toàn cầu và có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm trong quý thứ hai của năm tới và cung cấp cho thị trường sau khi có được xác nhận.

Băng thông PCIE thế hệ thứ năm được sử dụng trong sản phẩm mới này cao gấp đôi so với thế hệ thứ tư hiện tại (Gen4) và tốc độ truyền dữ liệu của PEB110 đạt 32GT (chuyển giao/giây).Do đó, hiệu suất của PEB110 đã tăng gấp đôi so với sản phẩm thế hệ trước và hiệu quả năng lượng đã tăng hơn 30%.

SK Hynix lần đầu tiên áp dụng SPDM (giao thức bảo mật và mô hình dữ liệu) cho các sản phẩm SSD của mình cho các trung tâm dữ liệu, tăng cường đáng kể khả năng bảo mật thông tin.

SPDM là một giải pháp được thiết kế đặc biệt để bảo vệ bảo mật cốt lõi của các hệ thống máy chủ, hỗ trợ xác thực bảo mật và giám sát máy chủ.Với số lượng các cuộc tấn công mạng ngày càng tăng nhắm vào các trung tâm dữ liệu, công ty tin rằng PEB110 được trang bị SPDM sẽ trở thành một sản phẩm đáp ứng các yêu cầu bảo mật thông tin của khách hàng.

SK Hynix đã phát triển ba phiên bản công suất cho sản phẩm này: 2TB (Terabyte), 4TB và 8TB và hỗ trợ phiên bản OCP * 2.5 để cải thiện khả năng tương thích trung tâm dữ liệu toàn cầu.

Sản phẩm này được phát triển dựa trên bộ nhớ flash NAND 238 lớp đã đạt được chứng nhận hiệu suất cao nhất, đảm bảo khả năng cạnh tranh cao nhất của ngành về chi phí, hiệu suất và chất lượng.Chúng tôi sẽ tiếp tục thúc đẩy các quy trình xác minh và sản xuất hàng loạt của khách hàng, và củng cố vị trí của chúng tôi là nhà lãnh đạo nhà cung cấp bộ nhớ định hướng AI hàng đầu thế giới trong nhu cầu thị trường SSD của Trung tâm dữ liệu liên tục